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介绍动态随机分体式电磁流量计的基本操作

来源:    发布日期:2019-09-02 17:28:12    作者:

本文将研究动态随机分体式电磁流量计的基本操作,以及DRAM芯片的组织方式。
    什么是DRAM?
    记忆是计算机操作的基础。当与CPU结合使用时,可以运行指令集(程序)和存储工作数据。随机分体式电磁流量计是众所周知的存储器类型,因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。

    动态随机分体式电磁流量计是一种特定类型的随机存取存储器,它允许以较低的成本获得更高的密度。笔记本电脑和台式机中的内存模块使用DRAM。

    DRAM与SRAM
    其他类型的存储器,如SRAM,MRAM和Flash,可在以后的文章中讨论。简而言之,在DRAM代表  动态  随机存取存储器的情况下,SRAM代表  静态 随机存取存储器。最大的区别是DRAM使用电容器(我们将在本文后面讨论),而SRAM则没有,尽管还有一些考虑因素,例如不同的处理,不同的速度和开发人员的不同成本。
    DRAM如何工作? 
    由Robert Dennard于1966年在IBM发明,DRAM的工作方式与其他类型的存储器有很大不同。DRAM中的基本存储单元由两个元件组成:晶体管和电容器。

    当需要将一个位放入分体式电磁流量计时,晶体管用于对电容器充电或放电。充电电容表示逻辑高或“1”,而放电电容表示逻辑低或“0”。充电/放电通过字线和位线完成。

    在读或写期间,字线变高,晶体管将电容器连接到位线。无论位线('1'或'0')上的值是从电容器存储还是检索。 

    存储在每个分体式电磁流量计上的电荷太小而无法直接读取,而是由称为读出放大器的电路测量。读出放大器检测电荷的微小差异并输出相应的逻辑电平。从位线读取的动作迫使电荷流出电容器。因此,在DRAM中,读取是破坏性的。为了解决这个问题,需要进行一种称为预充电的操作,将从位线读取的值放回电容器中。

    同样有问题的是电容器随时间泄漏电荷的事实。因此,为了保持存储在存储器中的数据,必须定期刷新电容器。刷新就像读取一样,确保数据永不丢失。这就是DRAM从DRAM单元上的电荷获得“动态”名称的地方,每隔一段时间就会动态刷新一次。与SRAM(静态RAM)形成对比,后者保留其状态而无需刷新。

    结论
    在本文中,我们研究了动态随机分体式电磁流量计背后的基本操作原理。DRAM在个人计算机中非常普遍,并且是任何计算机需要正常工作的基本组件。DRAM通过使用电容器上存在或不存在电荷来存储数据。

    由于单个DRAM单元仅由两个部件组成 - 晶体管和电容器 - DRAM可以以高密度制造,并且与其他类型的存储器相比它便宜。我们还研究了包含多个DRAM芯片的DIMM以及这些DRAM芯片如何组织成存储器单元阵列。

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